Archive for June, 2005

22
Jun

Samsung Electronics выпустила первые чипы флэш памяти типа NAND емкостью 4 Гбит

Компания Samsung также анонсировала выпуск первой 300-миллиметровой кремниевой пластины (wafer) на новой технологической линии N14 на месяц раньше запланированного срока. Поначалу ее производительность составит 4000 пластин в месяц и выйдет на расчетную мощность в 15000 штук в месяц к концу 2005 года. Линия будет выпускать 70-нм 4-гигабитные и 90-нм 2-гигабитные чипы флэш-памяти типа NAND. […]

07
Jun

Кампания Samsung представила 90 нанометровые ячейки памяти XDR DRAM емкостью 512

Разработанные Samsung Semiconductor ячейки памяти XDR DRAM основаны на применении механизма взаимодействия с памятью XDR, созданного компанией Rambus (NASDAQ:RMBS). Данный стандарт поддерживает широкий спектр требований по вводу/выводу данных и доступен в версии x2, x4, x8 или x16. Согласно данным исследовательской компании IDC, рынок памяти XDR DRAM будет стабильно расти в течение следующих четырех лет […]


© 2008 SamsungWorld: новости, новинки, обзоры, тесты